ASTM F80-94
标准测试方法用于通过蚀刻技术评估硅外延沉积的晶体完美程度
Standard Test Method for Evaluating Crystalline Perfection of Silicon Epitaxial Deposits by Etching Techniques
- 标准号
- ASTM F80-94 中文首页
- 发布
- 1994年
- 总页数
- 9页
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F80-94
- 引用标准
- ASTM D1193 ASTM E177 ASTM E7 ASTM F154 ASTM F26 ASTM F42 ASTM F43 ASTM F47 ASTM F523 ASTM F95
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖硅外延沉积物中堆垛层错和位错密度的测量。该程序还揭示了其他可能的晶体缺陷。这是一种破坏性方法，适用于堆垛层错和位错密度在 100 至 100 O00 cm:2 之间的外延沉积。注 1-密度在 O 和 100 之间的替代技术 1.2 可以评估硅外延沉积物，无论是 p 型还是 n 型，无论是在 [1 1 11 还是在 [1001 方向上生长，并且外延层电阻率低至 0.05 ohm-cm] （参见测试方法 F26、F42 和 F43）。该方法仅限于厚度大于2.0μm的外延层，没有上限。正在由 F1 委员会开发。注 2：测试方法 F 47 与本测试方法相关。注 3：如果采取特殊预防措施，可以评估厚度在 0.5 到 2.0 pm 之间的层。对于这样的层，可能无法将蚀刻坑发展到在本文指定的条件下可见的尺寸。
1.3 该测试方法利用化学优先蚀刻剂来描绘晶体缺陷。包括两种蚀刻剂，用于[1111硅的Sirtl蚀刻剂和用于[1001硅的Schimmel蚀刻剂]。虽然 Sirtl 蚀刻仅限于 [11 11 硅，但 Schimmel 蚀刻可用于 [loo] 和 [1 1 11 硅。注 4：当测试参与者同意适当的蚀刻程序时，可以使用其他蚀刻剂。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 1O 节。