ASTM F80-94
标准测试方法用于通过蚀刻技术评估硅外延沉积的晶体完美程度
Standard Test Method for Evaluating Crystalline Perfection of Silicon Epitaxial Deposits by Etching Techniques
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- 标准号
- ASTM F80-94
中文首页 - 发布
- 1994年
- 总页数
- 9页
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F80-94
- 引用标准
- ASTM D1193 ASTM E177 ASTM E7 ASTM F154 ASTM F26 ASTM F42 ASTM F43 ASTM F47 ASTM F523 ASTM F95
1.1 本测试方法涵盖硅外延沉积物中堆垛层错和位错密度的测量。该程序还揭示了其他可能的晶体缺陷。这是一种破坏性方法，适用于堆垛层错和位错密度在 100 至 100 O00 cm:2 之间的外延沉积。注 1-密度在 O 和 100 之间的替代技术 1.2 可以评估硅外延沉积物，无论是 p 型还是 n 型，无论是在 [1 1 11 还是在 [1001 方向上生长...
| 术语 | |
|---|---|
| epitaxial deposits | Epitaxial Deposits |
| dislocations | Dislocations |
ASTM F80-94 中提到的仪器设备
| 光学显微镜 Model O-1000 | 用于观察和分析蚀刻表面的微观结构。 |