ASTM F95-89(2000) 采用红外分散式分光光度计测定重掺杂硅衬底上的轻掺杂硅外延层厚度的标准试验方法标准

适用范围: 1.1 本测试方法2提供了一种测量沉积在硅衬底上的硅外延层厚度的技术。使用色散红外分光光度计。对于此测量，基材的电阻率在 23°C 时必须小于 0.02 V·cm，并且层的电阻率在 23°C 时必须大于 0.1 V·cm。
1.2 该技术能够测量厚度大于 2 ?m 的 n 型层和 p 型层的厚度。由于精度降低，该技术也可应用于 0.5 至 2 ?m 厚的 nand p 型层。
1.3 本测试方法适用于裁判测量。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

术语	描述
外延层 epitaxial layer	在半导体技术中外延生长的与基底晶格常数相同的半导体材料层。
折射率 index of refraction	由斯涅尔定律定义为入射角与折射角正弦值的比率，在6-40 ?m波长范围内，电阻率为大于0.1 V·cm的硅的相对折射率为3.42。
基底 substrate	半导体器件或电路的基础晶圆，在其上进行后续处理操作。

双光束红外分光光度计	利用已知和可变波数的单色红外光，测量试样反射率并记录为波数函数。
掩模孔	限制照射在试样表面的区域，消除厚度波动的影响，并使用非反射材料如石墨制成。
样品夹具	设计确保不对外延层造成损坏。

ASTM F95-89(2000)
采用红外分散式分光光度计测定重掺杂硅衬底上的轻掺杂硅外延层厚度的标准试验方法