ASTM F525-00a
使用扩散电阻探针测量硅片电阻率的标准测试方法

Standard Test Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafers Using a Spreading Resistance Probe

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标准号

ASTM F525-00a   中文首页

发布

2000年

总页数

14页

发布单位

美国材料与试验协会

当前最新

ASTM F525-00a

 

 

引用标准

ASTM E1 ASTM F110 ASTM F1392 ASTM F1393 ASTM F26 ASTM F374 ASTM F419 ASTM F42 ASTM F84 ASTM F95 E 1

适用范围

1.1 本测试方法涵盖已知取向和类型的硅衬底的电阻率测量，或沉积在相同或相反类型的衬底上的已知取向和类型的均匀硅外延层的电阻率的测量。只要层厚度与有效探针接触半径之比大于 20，就可以评估外延膜的电阻率，而无需薄膜校正因子。
1.2 该测试方法是比较性的，因为未知样品的电阻率由下式确定：将其测得的铺展电阻与已知电阻率的校准标准进行比较。这些校准标准必须具有与未知样品相同的表面光洁度、导电类型和方向。
1.3 本测试方法适用于硅衬底和外延层。实验室内精度是通过对电阻率为 0.01 至 200 V·cm 的基板进行的多实验室实验确定的。
1.3.1 本试验方法的原理可以扩展到较低和较高的样品电阻率值，但对于 1.3 给出的范围以外的值，本试验方法的精度尚未进行评估。
1.4 本试验方法是非破坏性的，即测量时试样不被完全破坏，不需要将试样切割成特殊形状，也不需要对试样进行破坏性处理。然而，探针可能会产生机械损坏，这可能对探测区域中制造的设备有害。
1.5 取样的半导体材料的体积与探头有效电接触半径的三次方成正比。对于2μm的有效电接触半径，单个探针采样的体积约为10 -11 cm -3 。
1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

ASTM F525-00a 中提到的仪器设备

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