ASTM F108-88e1 硅外延层电阻率的测定-三探针电压击穿法标准

适用范围: 1.1 本测试方法涵盖了硅外延层电阻率的测量，该硅外延层具有适合半导体器件制造的完美表面，并沉积在较低电阻率和相同导电类型的单晶衬底上。 1.2外延层适用的电阻率范围为O.1至5.0R-cm。该技术可用于任何厚度的层。然而，循环测试的精度仅针对足够厚以防止耗尽宽度限制的层获得。耗尽宽度受限的层的精度预计会明显较差。
1.3 实践 E 177 中定义的多实验室精度是外延层电阻率的函数。其变化范围为 1.0 R-cm 时的 120 % (RIS %) 到 0.1 R-cm 时的 I 2 7 % (R1S %) 和 5.0 R-cm 时的 I 3 5 % (R1S %)。
1.4 单位——在实验工作中，习惯上测量外延厚度的单位是微米而不是米，杂质浓度的单位是原子每立方厘米而不是原子每立方米，电阻率的单位是欧姆厘米而不是欧姆米。方程 1 和方程 3 中的数值因子假设使用英寸-磅而不是 SI 单位。
1.5 本标准可能涉及危险物质、操作。和设备。该标准并不旨在解决与其相关的所有安全问题。该标准的使用者有责任建立适当的安全和健康实践，并在此之前确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 9 节。

ASTM F108-88e1
硅外延层电阻率的测定-三探针电压击穿法