GB/T 30656-2023
碳化硅单晶抛光片

Silicon carbide single crystal polished wafer

GBT30656-2023, GB30656-2023


标准号
GB/T 30656-2023
别名
GBT30656-2023, GB30656-2023
发布
2023年
总页数
16页
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 30656-2023
 
 
被代替标准
GB/T 30656-2014
适用范围
本附录规定了碳化硅单晶抛光片多型的测试方法,包括裸眼法和拉曼散射法。
碳化硅单晶抛光片
Carbon Silicon Carbide Single Crystal Polishing Wafer
一种经过抛光处理的碳化硅单晶材料,用于测试其多型结构。
拉曼光谱测试仪
Raman Spectroscopy Tester
用于通过拉曼散射效应检测物质晶体结构的仪器。

GB/T 30656-2023 中提到的仪器设备

拉曼光谱测试仪 用于碳化硅单晶抛光片多型检测的专用设备。

专题


GB/T 30656-2023相似标准


推荐

物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底

  碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓(GaN)的晶格失配小,SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底...

6英寸碳化硅单晶衬底研制成功

  近日,中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室(筹)先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(SiC)单晶衬底。   据悉,碳化硅属于第三代半导体材料,是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。   上图 科研人员在...

浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶

据浙江大学杭州国际科创中心发布,近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功生长出厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着,碳化硅衬底成本有望大幅降低,半导体碳化硅产业发展或将迎来...

中科院上海硅酸盐所研发出4英寸碳化硅单晶

记者今天从中国科学院上海硅酸盐研究所获悉,该所科技人员立足自主研发,在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后,2月4日,成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶,这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。  据介绍,碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,饱和...


谁引用了GB/T 30656-2023 更多引用





Copyright ?2007-2025 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号
页面更新时间: 2025-07-12 09:47