ASTM F2139-01
测量硅基片中氮浓度的标准试验方法

Standard test method for measuring nitrogen concentration in silicon substrates

适用范围: 1.1 本测试方法涵盖使用二次离子质谱 (SIMS) (1,2)2 测定大量单晶基质中的总氮浓度。
1.2 本试验方法适用于硼、锑、砷、磷掺杂浓度小于0.2%（1·3·1020原子/cm3）的硅。
1.3 本测试方法适用于氮浓度随深度恒定的批量分析。
1.4 本试验方法适用于氮含量为1×3×1014原子/cm3或以上的硅。检测能力取决于 SIMS 仪器氮背景和测量精度。
1.5 该测试方法是对红外光谱、电子顺磁共振、深能级瞬态光谱和带电粒子活化分析（3）的补充。红外光谱方法检测特定振动状态的氮，而不是总氮，并且仅限于掺杂浓度小于约1×3×1017原子/cm3的硅。带电粒子活化分析检测能力受到硼干扰的限制。
1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

术语	描述
相对灵敏度因子（RSF） relative sensitivity factor (RSF)	用于将离子强度比转换为浓度的因数，由校准样品确定。
二次离子 secondary ion	在 SIMS 中，由基底材料产生的带电粒子。
矩阵效应 matrix effect	由于样品基体成分对检测信号的影响而引入的误差。

二次离子质谱仪（SIMS）	用于检测和分析材料中元素及其同位素浓度的高灵敏度仪器。
电子倍增器（EM）	用于检测二次离子流的高灵敏度探测器。