ASTM F397-02
硅棒两电极探针法电阻率测试方法

Silicon rod two-electrode probe resistivity test method

适用范围: 1.1 本试验方法2适用于面积均匀、形状为正方形、长方形或圆形、电阻率在0.0009～3000V·cm之间的单晶棒的电阻率测量。硅晶体的电阻率是一项重要的验收要求。
1.2 本测试方法适用于单晶硅或 p 型硅，其晶体横截面的均匀性使得可以准确计算面积。样品横截面积应恒定在沿晶轴测量确定的平均面积的 61% 以内（见 12.2）。
1.3 试样长度与横截面最大尺寸之比应不小于3：1（见12.1）。循环测试的最大直径为 3.75 厘米（1.5 英寸），这是该方法可以测量的最大直径。样品的表面光洁度通常应为 0.4 ?m (16 ?in.) rms 或更小（参见 ANSI B46）。如果双方都能接受，可以使用其他表面处理；然而，该测试的多实验室精度数据（见 16.1）可能不再适用。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 9 节。

术语	描述
电阻率 Resistivity	半导体中电场与电流密度之比，在本标准中以V·cm为单位表示。
电势差 Potential Difference	在测试电路两端产生的电压降，用于计算电阻率。
表面粗糙度 Surface Roughness	试样表面的微观不平滑程度，影响接触电阻和测试精度。

沙粒喷射设施使用铝氧化物或SiC等 abrasive	用于试样的表面粗糙化处理，提高检测准确性。
磨床 capable of giving a finish of 0.4 ?m rms or less	用于获得高精度表面处理的设备，确保测试面光滑以减少接触电阻。