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ASTM F40-83
单晶硅测试锭的制备方法

Standard Method for PREPARING MONOCRYSTALLINE TEST INGOTS OF SILICON BY THE VERTICAL-PULLING (CZOCHRALSKI) TECHNIQUE


标准号
ASTM F40-83   中文首页
发布
1984年
总页数
6页
发布单位
美国材料与试验协会
当前最新
ASTM F40-83
 
 
引用标准
ASTM F26 ASTM F42 ASTM F43 ASTM F47
适用范围
1.1 该方法涵盖了在受控标准化条件下生长用于半导体应用的单晶硅的程序(直拉技术)。
1.2 然后可以通过测量电气、物理和其他参数来评估晶体吗? i.3 本标准可能涉及危险材料、操作、干旱设备。本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题。使用本标准的任何人都有责任在我之前协商并建立适当的安全和健康实践,并确定免责限制的适用性。具体预防措施说明见第 6 节。
术语描述
单晶硅
Single Crystal Silicon
由纯度极高的多晶硅熔化后快速冷却形成的晶体,具有高度有序的晶体结构。
直拉法
Czochralski Technique
一种通过从熔融硅中垂直拉制晶体以生长单晶硅的方法。

ASTM F40-83 中提到的仪器设备

直拉法炉具

符合3.1至3.2节设计参数
一种用于在惰性气氛中生长单晶硅的电阻或感应加热炉,配备旋转和垂直运动机构。

ASTM F40-83相似标准


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