直拉法炉具 符合3.1至3.2节设计参数 | 一种用于在惰性气氛中生长单晶硅的电阻或感应加热炉,配备旋转和垂直运动机构。 |
主要有两种方法:直拉法(Cz法)、区熔法(FZ法);1)直拉法其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好,直径和长度都可以很大,生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此,一些化学性...
(1)由于太阳能组件的输出功率取决于太阳辐照度和太阳能电池温度等因素,因此太阳能电池组件的测量在标准条件下(STC)进行,标准条件定义为: 大气质量AM1.5, 光照强度1000W/m2,温度25℃。(2)在该条件下,太阳能电池组件所输出的最大功率称为峰值功率,在很多情况下,组件的峰值功率通常用...
单晶硅是大规模集成电路和半导体器件的主要材料,其纯度直接影响器件的性能和可靠性。代位碳杂质的存在会直接影响单晶硅的电学性能,如电阻率、载流子迁移率等。通过精确测量代位碳含量,可以严格控制硅材料中的碳杂质,从而提高单晶硅的质量和性能。(图片来源于网络)方法原理室温测试时,分别采集背景、参比样品、测试样...
1. 用于残余奥氏体分析仪的样品必须经过切割,将热效应降至低值,由于大多数含有残余奥氏体的钢铁比较坚硬,所以需要使用砂轮切割片磨削样品,如果样品不进行适当的冷却,砂轮片存在严重的热效应,可能导致样品本身的残余奥氏体发生改变。与采用钢锯切割比较,更建议使用砂轮切割。2. 样品粗模式时需要使用铣床或高压...
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